エレファンテック、AI時代の超高多層基板向け低抵抗基板間接続用 銅ナノペースト「SAphire™ B」を開発低温・大気下で低抵抗かつ高信頼性な銅ナノペーストにより、次世代超高多層基板を実現
エレファンテック、半導体パッケージ基板の配線微細化を実現する新製法DS-SAP™を開発Dual Seedによってシード薄膜化を実現し、AI向け半導体の計算能力向上に貢献
エレファンテック、無加圧接合に対応したパワー半導体向け接合材SAphire™ D02を開発加圧低温接合に続いて無加圧低温接合を実現し、プロセス自由度を向上