Nano Copper Deposition

Nano Copper Depositionは、インクジェット技術と銅ナノインクを活用した、銅シード層形成における根本的に新しいアプローチです。

必要な箇所にのみシード層を選択的かつ高精度に形成します。これにより、従来の方法では対応が難しかった高アスペクト比構造にも、形状に沿って連続したシード層を形成することができます。

配線設計の自由度を高め、工程の簡素化や歩留まりの改善を通じて、AIハードウェアの製造に新たな可能性をもたらします。

ソリューション

DeepVia™ HDI​

DeepVia™ HDIは、高アスペクト比マイクロビア導電化ソリューションです。従来の無電解銅めっきでは対応が難しい高アスペクト比のビアにも、ビア内部の形状に沿って連続的なシード層を形成でき、HDIマイクロビア導電化におけるアスペクト比の制約を大きく緩和します。

ビア深さの設計自由度を高め、必要なビルドアップ層数を削減するとともに、多層化が進むAIサーバー基板の信号整合性向上を支えます。

コンフォーマル金属化後のマイクロビア断面（AR 3.0、ビアボトム径 ⌀ 100 μm）

DeepVia^TM HDIプロセスフロー模式図

DS-SAP™

Dual Seed-SAP™は、表面の微細配線形成とディープビア導電化のシード層形成を分けた、新しいデュアルシードプロセスです。これにより、従来避けられなかった両工程間のトレードオフを解消します。

スキップビアの実現により、パッド面積、キープアウトエリア、ビルドアップ層数を削減し、先端パッケージにおけるファンアウト効率を大きく向上させます。

DS-SAP^TM有無によるビアめっき結果の比較

DS-SAP^TMプロセスフロー簡略模式図

DS-Silicon™

DS-Silicon™は、シリコンインターコネクトの微細化・深孔化・三次元化に対応する技術です。PVD（物理蒸着）では対応が難しい構造にも、形状に沿ってシード層を形成できます。

単独で使用できるほか、既存のPVDと組み合わせることも可能です。次世代のHBM（広帯域メモリ）や3D集積において、金属化できる構造の範囲を広げます。

DS-Silicon™サンプルの均一に形成された銅層の断面

DeepVia^TM Siliconプロセスフロー模式図